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연구

연구분야

성균관대학교 양자정보공학과는 양자정보과학기술의 이론적 기반부터 실제 구현 기술까지 폭넓은 연구를 수행하고 있습니다. 양자소자 및 하드웨어, 양자소재 및 양자물질, 양자컴퓨팅, 양자센싱 및 양자계측, 양자이론과 기초물리를 아우르는 연구를 통해 차세대 양자기술의 핵심 원리와 응용 가능성을 탐구합니다.

양자소자 및 하드웨어

양자소자 및 하드웨어 분야에서는 양자정보처리를 실제로 구현하기 위한 물리적 플랫폼, 소자, 회로, 시스템 기술을 연구합니다. 주요 연구 주제에는 이온포획 양자하드웨어, 초전도 양자소자, 고체 점결함 양자하드웨어, 단일광자 검출기, 극저온 고주파 및 마이크로파 시스템, 양자컴퓨터 시스템 구조 등이 포함됩니다. 이 분야는 양자컴퓨터와 양자센서의 성능, 안정성, 확장성을 결정하는 핵심 기반 기술을 다룹니다.

관련 연구실 및 교수진

 

양자소재 및 양자물질

양자소재 및 양자물질 분야에서는 양자현상이 두드러지게 나타나는 물질과 나노구조, 그리고 이를 기반으로 한 차세대 소재 설계를 연구합니다. 주요 연구 주제에는 위상물질, 양자물질, 저차원 반도체 나노구조, 그래핀 및 2차원 자기 물질, 나노광학, 플라즈모닉스, 제일원리 계산, 밀도범함수 이론, 다중스케일·다중물리 모델링, 반도체 소재 및 공정 기술 등이 포함됩니다. 이러한 연구는 양자소자, 양자센서, 에너지 소재, 차세대 반도체 및 나노광학 기술의 발전을 위한 기반을 제공합니다.

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양자컴퓨팅 (알고리즘·소프트웨어)

양자컴퓨팅 분야에서는 양자역학적 원리를 바탕으로 새로운 계산 방법과 정보처리 기술을 연구합니다. 주요 연구 주제에는 양자알고리즘, 양자회로, 양자오류정정, 양자시뮬레이션, 양자컴퓨터 구조, 시스템 소프트웨어, 양자화학 및 소재 계산 응용 등이 포함됩니다. 이를 통해 실제 양자컴퓨터에서 활용 가능한 계산 방법을 개발하고, 양자컴퓨팅 기술의 확장성과 실용성을 높이는 것을 목표로 합니다.

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양자센싱·양자계측

양자센싱·양자계측 분야에서는 양자계의 높은 민감도와 정밀한 측정 원리를 활용하여 미세한 물리량을 검출하고 분석하는 기술을 연구합니다. 주요 연구 주제에는 양자센서, 단일광자 검출, 극저온 마이크로파 계측, 원자 및 이온포획 기반 측정, 양자 하드웨어 특성 분석, 신호와 잡음의 정밀 분석 등이 포함됩니다. 이러한 연구는 양자컴퓨터 제어, 정밀계측, 차세대 센서 및 양자소자 평가 기술과 밀접하게 연결됩니다.

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양자이론·기초물리

양자이론·기초물리 분야에서는 양자정보과학의 근본 원리와 양자계의 물리적 성질을 이론적으로 탐구합니다. 주요 연구 주제에는 양자정보이론, 양자계산이론, 열린 양자계, 양자광학, 원자물리, 응집물질 이론, 위상물질 이론, 수리적 계산 이론 등이 포함됩니다. 이 분야는 새로운 양자기술의 가능성을 제시하고, 양자컴퓨팅·양자센싱·양자소재 연구의 이론적 토대를 제공합니다.

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