고분해능오제전자분광기(Feild Emission Auger Electron Spectrometer)
사진 | |
---|---|
영문명/단축명 | High Power Thin Film X-Ray Diffractometer System / AES |
모델명 | JAMP-9500F |
설치장소 | 표면분석실 / [81B111]기기분석실Ⅰ |
제작사 | JEOL |
도입년도/가격 | 2022년 3월/ 1,055,394,000원 |
담당자/연락처/e-mail | 이주영(Lee Juyoung) / 031-299-6724 /ju263423@skku.edu |
♦ Features
• 표면 (수Å)에 대한 조성분석
• 미소부위 조성 분석 (Point Surface)
• 박막의 깊이 방향 원소 분석 (Depth Profiling, ~1µm 까지 가능)
• 2차원적인 원소 분포도 측정 (Auger Image Mapping, Line Scaning)
♦ Specification
• EOS
- Emitter : ZrO/W Schottky FEG
- Acce. Volt(가속전압) : Max. 25kV. 이상
- Probe Current(탐침전류) : min. 1x10E-11, Max. 1x10E-7A이상
- min. Probe Size : 3nm (SEI Resolution at 25kV), 8nm (Auger analysis at 25kV)
• Auger analysis system
- Analyzer: Electrostatic hemispherical analyzer (HSA)
- Energy resolution(ΔE/E): 0.05 to 0.6%
- Sensitivity: 700,000 cps이상 (10kV, 10nA)
• Ion gun
- Ion energy: Max. 4keV 이상
- Ion current (absorbed current): 2μA at 3keV
- Ion current density : 250μA/c㎡ at 3keV, 0.1μA/c㎡ at 10eV
- Ion beam diameter : min. 200μm 이하
- Raster area : 10 mm 이하
• Vacuum System
- Main Chamber : 6.7×10-8 Pa이하
♦ Application
• 반도체 공정 및 기술개발, 자기 기록 물질 , 디스플레이 재료, 산화 및 부식 촉매 이차 전지 등을 비롯한 여러 분야에 광범위하게 이용
• FE-SEM 으로 관찰할 수 있어 원하는 부분의 국소 영역 원소 분석이 가능
• 결합 상태에 따라 스펙트럼의 모양이 바뀌기 때문에 특정 원소의 화학결합의 중요한 정보를 제공
• Wide Scan
• Split Scan
• Line Scan
• Mapping
• Depth Profile