광전자분광기2(XPS2)
| 사진 |
 |
|---|---|
| 영문명/단축명 | X-ray Photoelectron Spectrometer 2(Only super user) / XPS 2(Super user) |
| 모델명 | JPS-9030 |
| 설치장소 | 표면분석실 / [81B111]기기분석실Ⅰ |
| 제작사 | JEOL |
| 도입년도/가격 | 2022년 3월/ 원 |
| 담당자/연락처/e-mail | 이은영(Lee Eunyoung) / 031-299-6750 / ley1231@skku.edu |
♦ Features
• Standard X-ray source) Mg K-alpha/Al K-alpha X-ray source
• Monochromatic X-ray source) Mg K-alpha/Al K-alpha X-ray source
• Analyzer : Electrostatic hemispherical analyzer
• Energy sweep method : Constant analyzer energy, constant retarding ratio methods
• Detector : Multi-channel plate
♦ Additional Options
• Surface analysis
- Automatic measurement for multi-point analysis
• Depth profiling
- Ion gun 이용한 etching을 통해 시료의 깊이분석 가능
- Automation of depth profile analysis
- Vacuum transfer vassel 보유
♦ Specification
• Maximum X-ray spot size : 6 mm
• Maximum sample area : (10 x 10) mm
• Powder sample 불가능
♦ Application Data
• Wide scan과 Narrow scan을 진행하며 원소가 가지는 고유의 결합에너지 값을 이용하여 표면의 정성 및 정량을 확인하는 분석. 박막 샘플 가능
• SiO2 wafer 표면 분석 진행한 data
• Ion gun을 이용하여 etching을 함과 동시에 etching된 면을 scan하는 것을 반복 진행하여 샘플의 깊이 방향으로의 정보를 얻는 분석
1. SiO2와 TiO2가 반복해서 쌓인 샘플을 깊이 분석한 data
2. 1번 data에서 얻은 Si peak 에서 결합구조를 확인
3. 2번 data를 이용하여 층별 Si 결합구조 변화확인