광전자분광기3(XPS3)
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| 영문명/단축명 | X-ray Photoelectron Spectrometer 3(NEXSA) / XPS 3 (NEXSA) |
| 모델명 | NEXSA G2 |
| 설치장소 | 표면분석실 / [81b114a]공동기기실-4 |
| 제작사 | UVP, Inc. |
| 도입년도/가격 | 2023년 10월/851,156,000원 |
| 담당자/연락처/e-mail | 용진영(Yong Jin-young) / 031-299-6762 / luckyoung@skku.edu |
♦ Features
• High performance X-ray source) Low-power Al K-alpha X-ray source
• Analyzer : Double-focusing, hemispherical analyzer with 128-channel detector
• Software : Avantage ver 6.6
♦ Additional Option
• Depth profiling
- Ion gun 을 이용한 etching을 통해 시료의 깊이분석 가능(보통 수nm ~ 수백nm 단위로 진행)
- 깊이분석이 아닌 샘플의 표면 cleaning 도 가능
• UV photoelectron spectroscopy (UPS)
Sample bias module 보유
• Reflected electron energy loss spectroscopy (REELS)
• Ion scattering spectroscopy (ISS)
• Mapping
- Snapshot scan 모드를 이용하여 image mapping 가능
• Angle resolved XPS
- ARXPS 전용 홀더를 이용하여 샘플의 각도를 바꿔가며 분석 가능
• Vacuum transfer module 보유
• NX sample heater module 보유
♦ Specification
• X-ray spot size : (10 ~ 400) µm
• Maximum sample area : (60 x 60) mm
• Maximum sample thickness : 20 mm
• Powder sample 가능 (자성을 띄지 않는 것만 가능)
♦ Application Data
• Wide scan과 Narrow scan을 진행하며 원소가 가지는 고유의 결합에너지 값을 이용하여 표면의 정성 및 정량을 확인하는 분석(박막 및 파우더 샘플 모두 가능)
• Depth profile graph(Ion gun을 이용하여 etching을 함과 동시에 etching된 면을 표면분석하여 샘플의 깊이 방향으로의 정보를 얻는 분석)
• O1s depth profile peak
• N1s depth profile peak
• Si2p depth profile peak
• Ti2p depth profile peak
• 결합구조분석(Narrow scan을 통하여 얻은 범위 내의 peak를 통해 결합구조를 확인)
• Library_S2p peak 참조
• Library_Ni2p peak 참조
• ARXPS 분석(Angle resolved XPS. 각도를 바꿔가며 XPS 측정을 하는 것으로 각도에 따라 정보를 얻을 수 있는 표면의 깊이가 변화. 약 5nm 이하의 박막 두께 측정 가능)
• ARXPS 분석을 통한 HfO2 박막 두께 측정 예시
• 0 ~ 60도 범위 내에서 15도씩 tilt하여 얻은 각 원소들의 peak
