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분석실 안내

연구장비 소개

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집속이온빔장치(FIB Ⅲ)

집속이온빔장치(FIB Ⅲ)
연구장비 이미지
단축명 FIB Ⅲ
모델명 NX2000
설치장소 미세구조분석실//81B102호
제작사 HITACHI
도입년도/가격 201804 / 1,200,000,000
담당자 신연주(Shin Yeonju) 031-299-6732
장비용도
FIB Cross Section, TEM Sampling, Ion Canneling Contrast
기본사양
FIB Accelerating voltages : 0.5 to 30 kV Beam Current : 0.05 pA ~ 100 nA Image resolution : 4 nm (at 30 kV)