집속이온빔장치(FIB I)
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| 단축명 | FIB I |
| 모델명 | SMI3050TB |
| 설치장소 | 미세구조분석실//81B104호 |
| 제작사 | SII |
| 도입년도/가격 | 200603 / 705,000,000 |
| 담당자 | 전종철(Jeon Jongchul) 031-299-6715 |
| 장비용도 | |
| Circuit Edit(회로 수정), Chip Construction Analysis(Chip 구조 분석), Chip Failure Analysis(Chip 불량 분석), TEM Sample Preparation(TEM 시료 전처리) | |
| 기본사양 | |
| Triple Beam System(SEM, FIB, Ar Ion Beam), FIB Processing observed in real time by SEM, Resolution : 4nm @ 30kV, Maximum Probe Current Density : Bigger than 30A/cm2, Maximum Probe Current : 20nA | |