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- 이효영 교수 "첨단소재 그래핀 상온서 대량생산"
- 성균관대 이효영 교수 연구진이 미래의 첨단 소재로 불리는 그래핀을 상온에서 대량 생산할 수 있는 기술을 개발했다. 섭씨 40도에서 불순물이 거의 없는 그래핀을 합성하는 데 성공했다고 26일 밝혔다. 그래핀은 셀로판지처럼 얇은 모니터나 종이처럼 접을 수 있는 컴퓨터를 만들 수 있는 신소재다. 실리콘에 비해 100배 이상 전자를 빨리 전달해줄 뿐 아니라 휘거나 비틀 수 있다. 기존 그래핀 합성 방법은 대량 생산을 하면 불순물이 많이 남는 단점이 있다. 이 교수는 “이번 연구로 기존에 비해 저온에서 순도가 높은 그래핀을 대량 생산할 수 있는 공정 기술을 확보하게 됐다”고 말했다. 이 연구는 과학 학술지 네이처의 자매지인 ‘네이처 커뮤니케이션’ 온라인판 22일자에 게재됐다.
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- 작성일 2010-09-29
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- 노벨상 수상자 특강 안내
- 노벨상 수상자 특강 안내 WCU 에너지과학과에서는 1988년 노벨 화학상 수상자이신 독일 Robert Huber 교수를 초빙하여 아래와 같이 특강을 개최합니다. 교내 구성원 여러분의 많은 참석을 부탁 드립니다. 아 래 1. 일시: 2010년 8월 27일(금) 10:30-12:00 2. 장소: 성균관대학교 자연과학캠퍼스 삼성학술관 Auditorium 3. 초청연사: Robert Huber(로버트 후버) 교수 - 1988년 노벨 화학상 수상자, 4. 특강주제: Proteins and Their Structures at the Interface of Physics, Chemistry and Biology 5. 참석대상: 교내 전 구성원 6. 주최: 성균관대학교 에너지과학과 7. 주관: 성균관대학교 기초과학연구소, 성균관대학교 생명과학과, 성균나노기술원, BK21 물리연구단, BK21-융합형기계시스템설계인력양성사업단. 8. 문의처: 성균관대학교 에너지과학과 행정실(031-299-4271-4)
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- 작성일 2010-08-16
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- 2010년 NOBEL LAUREATE SPECIAL LECTURE
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- 작성일 2010-05-20
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- 2010년 1학기 학부모 간담회
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- 작성일 2010-05-20
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- 2010년 과학인재전형 캠프
- 2010년 과학인재전형캠프-2010.2월.
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- 작성일 2010-03-05
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- 2009 우수 스터디 및 연구그룹시상식
- <2009 우수 스터디 및 연구그룹시상식> 2010. 3. 5. 금. 자연과학부 행정실
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- 작성일 2010-03-05
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- Weekly People(국내최조인물시사주간지)-박종윤 학부장님
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- 작성일 2010-03-04
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- 박두선-홍병희교수 ‘포스코 과학펠로’ 선정
- 물리학전공 박두선교수와 화학전공 홍병희교수가 포스코 청암재단의 ’청암 베세머 과학펠로’(신진교수부문)에 선정되었다. ’청암 베세머 과학펠로십’은 국내의 대학과 연구소에서 연구의 길을 걷는 젊은 과학자를 선발하여 국내에서 안정감과 자긍심을 갖고 연구에 전념하도록 지원해 세계적인 과학자로 성장을 지원하는 프로그램이다(www.postf.org/bessemer/overview.jsp). 오펜하이머 펠로로 미국 로스알라모스 국립연구소에도 재직했던 박교수는 최근 Nature 2편, PRL 9편 등 유수한 SCI 저널에 40여편의 논문을 발표한 국제적으로 왕성한 활동을 하는 강상관계 및 초전도 분야의 전문가이다. 우리 대학에서 극한물성물리 연구실을 이끌고 있는 박교수는 복잡전자계(complex electronic materials)에 나타나는 새로운 양자상태 (quantum phases)를 이해하기 위해 극한 환경인 절대영도 근처의 극저온, 높은 압력 및 높은 자기장 등을 사용한 연구를 수행 중이다(epsl.skku.edu).
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- 작성일 2009-12-01
- 조회수 8120
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- 이효영 교수 "차세대 분자메모리 소자개발 가능성 열어"
- 단분자막을 이용해 초고밀도의 비휘발성 분자메모리 소자 구현의 가능성을 국내 연구진이 제시했다. 교육과학기술부는 화학과 이효영 교수팀이 산화-환원 상태를 갖는 3~4nm(나노미터) 길이의 유기금속 단분자막을 직접 설계 및 합성해 단분자막 비휘발성 분자메모리 소자를 제작 및 구현하는데 성공했다고 8일 밝혔다. 이번 연구 결과는 화학분야의 세계적인 권위지인 '앙게반테 케미' 10월 1일자 인터넷판에 발표됐다. 분자전자소자는 현재 무기반도체 기술의 뒤를 이을 가능성이 있는 유망분야 중 하나다. 분자 설계와 합성이 가능할 뿐 아니라 소자로 응용될 경우, 단위 면적당 초고밀도의 집적이 가능하기 때문이다. 하지만 고분자의 한계인 '상호간섭(cross-talk)' 문제 등으로 학계에서는 집적화에 대한 근본적인 의구심을 가지고 있었다. 또 단분자막을 이용할 경우 집적화는 가능하나, 전극제작 시 금속 입자의 침투에 의한 전기단락(short) 현상으로 소자의 수득률 저하 등을 일으키는 문제가 있었다. 이 교수팀은 이번 연구에서 전도성 유기 물질을 단분자막 유기금속화합물과 상부 금속전극 사이에 두어 전기단락 현상을 막았다. 또 단분자막 유기금속화합물에 알킬 체인을 늘려 전도성 물질의 침투를 막아 소자 효율을 크게 향상시켰다. 소자 제작을 위해 산화-환원 특성을 지니는 단분자막 유기금속분자의 양 말단에 길이가 다른 알킬체 분자를 삽입시킴으로써 자기조립박막을 형성시켜, 분자밀도를 높이고 전도성 고분자의 침투를 막아 소자의 수득률을 극대화했다. 또한 알킬 길이가 늘어남에 따라 소자의 수득률이 증가하고, 동시에 비휘발성 성질도 증가함을 확인했다. 이효영 교수는 "메모리 시장을 지배하는 우리나라가 차세대 메모리 분야에서 계속 선두를 유지하기 위해서는 다양한 형태의 차세대 비휘발성 메모리 소자 개발에 연구를 집중시켜야 한다"며 "이번 연구는 집적화가 가능한 단분자막을 이용한 분자 메모리 소자 구현에 대한 가능성을 확인한 최초 연구"라고 말했다.
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- 작성일 2009-10-12
- 조회수 7985
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- 권용성교수팀 연구논문 네이처지 게재
- http://news.chosun.com/site/data/html_dir/2009/06/17/2009061701871.html?Dep0=chosunmain&Dep1=news&Dep2=headline2&Dep3=h2_01 “열전 변환 재료(In4Se3) 단결정 성장” 세계 첫 연구 성대 권용성교수·삼성전자 종기원 이상목박사팀 논문 네이처지 게재 여러 산업분야에서 발생하는 열에너지의 대부분은 현재 이용되지 않거나 그대로 폐열로 배출되고 있는 실정이다. 최근 에너지 및 지구환경문제에 대한 관심이 높아짐에 따라 산업분야에서 발생되는 폐열과 자동차의 배기가스의 열에 대한 열전 변환재료분야 연구가 세계적으로 주목받고 있다. 또한 열전 변환 재료분야 연구는 그린에너지 기술로 기대가 되고 있다. 열전 변환재료는 제벡효과(Seebeck effect)와 펠티어효과(Peltier effect)를 이용하여 열에너지와 전기에너지로 상호 변환하는 것이 가능하다. 열에너지를 전기에너지로 바꾸는 것을 발전재료라고 하고, 반대로 전기에너지를 이용하여 냉각시키는 것을 냉각재료라고 한다. 발전재료의 경우 전기를 발생시키는 발전기로 사용이 가능하고, 냉각재료의 경우는 냉매를 사용하지 않는 휴대용 냉장고, 컴퓨터의 중앙처리장치(CPU)의 냉각 등에 사용이 가능하다. 그러나 현재 이용 가능한 열전 변환재료는 비스머스(Bi), 안티몬(Sb), 납(Pb), 테르늄(Te) 등의 중금속이 사용되고 있는데, 지구상에 매장량이 적을 뿐 아니라 독성이 아주 강하고 고온에서 재료의 안정성이 떨어져 팔시계의 발전소자, 휴대용 냉장고 등의 냉각소자에 사용되고 있으며 활용범위가 국한되어 있다. 이런 관점에서 최근에는 매장량이 많으면서도 독성이 없는 열전 변환물질에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 열전 변환재료로 사용하기 위해서는 열전 변환시 효율성을 나타내는 성능계수 ZT가 커야 한다. 현재는 열전 성능계수가 1 정도에 불과, 석유나 원자력에너지에 비해 효율성이 떨어져 실용화에 문제가 되고 있다. 최근 나노기술 등을 접합해 성능계수를 2정도까지 끌어올리고 있지만 실용화에 적절한 소자로 제작하는 것은 거의 불가능해 실제로 효율성이 뛰어난 열전 변환소자로 사용하기는 아직은 먼 이야기 다. 성균관대 권용성교수팀과 삼성전자 종합기술원 이상목박사팀 그리고 포항공대와 미국 러트거스대학 연구팀은 실용화가 가능한 덩어리상태에서 열전 성능계수를 연구하기 위해 두 개의 원소로 구성된 인듐셀레나이드(In4Se3)에 Se의 결함을 인공적으로 만들어준 n형 In4Se3-δ의 단결정을 세계 최초로 성장시켜 열전변환재료 연구를 수행해왔다. 이 열전변환재료의 성능계수 ZT값이 432도에서 1.48로, 지금까지 발견된 덩어리 열전변환재료 중 가장 큰 값을 갖는다는 것을 발견하였다. 이 큰 값이 보이는 원인을 찾기 위해 고분해능 투과전자현미경을 통한 전자회절실험과 이론적인 접근을 위해 제일원리계산을 수행하여 In4Se3-δ의 물질이 전자와 포논(격자진동)과의 강한 상호작용에 의한 전하밀도파 불안정성이 보인다는 것을 발견하였다. 이 전하밀도파 불안정성은 전기적 및 열적 전송에서 큰 이방성을 일으키고 있다. 이 결과로부터 In4Se3-δ의 열전변환 재료가 매우 큰 성능계수 ZT값은 전하밀도파를 보이는 면내에서 높은 Seebeck 계수와 낮은 열전도도의 결과에 의한 것임을 세계 최초로 밝혀냈다. 이 결과는 전하밀도파에 의해 특유의 나노결정화가 유기되는 덩어리 재료에서 높은 효율을 갖는 열전변환재료를 찾는데 새로운 방향을 제시하였다. 이 연구에서 발견된 열전변환 재료 In4Se3-δ는 독성이 없고 고온에서도 비교적 안정적이어서 실용화 가능성이 크다. 또한 In4Se3-δ재료에 대한 성능계수의 최적화 연구는 전자의 도핑법 등으로 현재 진행중에 있어 보다 큰 성능계수를 갖는 물질이 개발될 것으로 기대된다.
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- 작성일 2009-06-23
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